Atomic Layer Deposition İnce Film Üretim Sistemi

 0,00

Kategoriler:

Açıklama

Atomic Layer Deposition İnce Film Üretim Sistemi

 

 

 

 

 

 

 

TERMAL ATOMİK KATMAN BÜYÜTME (Teknik Bilgi)

Termal ALD sistemi ile AL2O3 , TiO2, ZnO ve HfO2 gibi katmanlar ve daha fazlası yapılabilmektdir. Vakum pompası 2mtorr değerlerine ulaşabilir. 200-300mtorr değerlerinde proses basıncı ile optimize edilmiş katmanlar büyütülebilmektedir. Düşük ısılarda örneğin 80 derecede filmler üretilmesi farklı tasarımlara esneklik sağlayabilmektedir. Özgün ve yerli üretim olduğundan bakım arıza konusunda çok kolaylık sağlamaktadır.

Ek bilgi

Teknik Özellikler

Reaksiyon haznesi 4 inch veya daha büyük çapta örnek için tasarlanabilir ve bir çok küçük
apta örnek yerleştirilebilir.
400 dereceye kadar sıcaklık kontrol edilebilir.
4 ayrı malzeme ve 1 tane H2O takılabilmesi için 5 portlu valf sistemi tasarlanabilir. (Port sayısı
talebe göre değiştirilebilir. )
Nitrojen gazı 100 sccm e kadar ayarlanabilir.
Bilgisayar kontrollü kullanılabilmektedir.
Vakum pompası mevcuttur.
Kurulum, Eğitim ve servis hizmeti verilmektedir.

Nano Elektronik Aygıtlar